[实用新型]一种非晶硅薄膜的制作装置有效
| 申请号: | 201220238530.6 | 申请日: | 2012-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN202595271U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
| 发明(设计)人: | 邓文忠 | 申请(专利权)人: | 浙江慈能光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/24 |
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| 地址: | 315336 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 制作 装置 | ||
1.一种非晶硅薄膜的制作装置,其特征在于,所述装置包括玻璃基板、阻抗匹配器和射频发生电源,所述玻璃基板设置在真空腔室中,所述玻璃基板通过阻抗匹配器与射频发生电源相连接。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述玻璃基板包括等离子体发生区域和边缘绝缘区域,所述边缘绝缘区域覆盖有绝缘层,所述等离子体区域通过引导线与阻抗匹配器相连接。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述玻璃基板包括多个接地电极和多个激发电极板,接地电极和激发电极板间隔设置,所述激发电极板通过引线与阻抗匹配器相连接。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述阻抗匹配器通过夹具卡接到玻璃基板上。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





