[实用新型]具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管有效
申请号: | 201220224646.4 | 申请日: | 2012-05-18 |
公开(公告)号: | CN202651187U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 陈凯轩;林志伟;蔡建九;林志园 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
代理公司: | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人: | 方惠春 |
地址: | 361000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管,包括一衬底,在衬底的下面连接有第一电极,在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极,沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层,其中1≤X≤50;优选所述的Delta掺杂层的厚度≤1nm;本实用新型可以提高电流扩展层的横向电导率,有效降低发光二极管的正向工作电压,提高发光二极管的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 调制 掺杂 电流 扩展 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管,包括一衬底,在衬底的下面连接有第一电极,在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极,其特征在于:沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层,其中1 ≤ X ≤ 50。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司,未经厦门乾照光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220224646.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用超声波发生器替代隔膜的电池
- 下一篇:一种太阳能电池组件用自动摆放装置