[实用新型]一种复合式高压大功率场效应管有效
| 申请号： | 201220070875.5 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN202513144U | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 翁宏达;许盛勋 | 申请（专利权）人： | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 赵秀斌 |
| 地址： | 225116 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高压大功率场效应管，包括框架，场效应管芯片，快速外延二极管芯片和环氧树脂，所述场效应管芯片与所述快速外延二极管芯片固定于所述框架上，所述场效应管芯片的栅极与所述框架的栅极脚位相连接，所述场效应管芯片的源极与所述框架的源极脚位相连接，所述快速外延二极管芯片正极与所述框架的源极脚位相连接，所述环氧树脂将所述框架及所述场效应管芯片、快速外延二极管芯片包覆于内。本实用新型使场效应管的逆向回复特性获得极大的改善，提高了场效应管在切换式电路应用上的效率，进而降低电源系统的温度、有效提高效场效应管的通电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 高压 大功率 场效应 | ||
【主权项】：
一种复合式高压大功率场效应管，包括框架，场效应管芯片，快速外延二极管芯片和环氧树脂，其特征在于：所述场效应管芯片与所述快速外延二极管芯片固定于所述框架上，所述场效应管芯片的栅极与所述框架的栅极脚位相连接，所述场效应管芯片的源极与所述框架的源极脚位相连接，所述快速外延二极管芯片正极与所述框架的源极脚位相连接，所述环氧树脂将所述框架及所述场效应管芯片、快速外延二极管芯片包覆于内。
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