[实用新型]一种异质结太阳电池有效
申请号: | 201220061130.2 | 申请日: | 2012-02-23 |
公开(公告)号: | CN202549860U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 李正平;彭铮;李媛媛;沈文忠;华夏;彭德香;温超 | 申请(专利权)人: | 上海中智光纤通讯有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 宋缨;孙健 |
地址: | 201108 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种异质结太阳电池。该电池包括以N型单晶硅材料制成的衬底,所述衬底正面侧依次沉积本征层、P型非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和正面金属电极;所述衬底背面侧依次沉积本征层、N型非晶硅薄膜层,透明导电氧化物薄膜层和背面金属电极;所述的本征层是本征非晶硅薄膜层或本征非晶硅氧薄膜层,厚度为3~20nm。本实用新型通过在硅片的正面和背面插入本征层材料,使得光电转换效率得到提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种异质结太阳电池,其特征在于,包括以N型单晶硅材料制成的衬底(5),所述衬底(5)正面侧依次沉积本征层(4)、P型非晶硅薄膜层(3)、透明导电氧化物薄膜层(2)和正面金属电极(1);所述衬底(5)背面侧依次沉积本征层(4)、N型非晶硅薄膜层(6),透明导电氧化物薄膜层(2)和背面金属电极(7);所述的本征层(4)是本征非晶硅薄膜层或本征非晶硅氧薄膜层,厚度为3~20nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的