[实用新型]一种异质结太阳电池有效

专利信息
申请号: 201220061130.2 申请日: 2012-02-23
公开(公告)号: CN202549860U 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 李正平;彭铮;李媛媛;沈文忠;华夏;彭德香;温超 申请(专利权)人: 上海中智光纤通讯有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 宋缨;孙健
地址: 201108 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种异质结太阳电池。该电池包括以N型单晶硅材料制成的衬底,所述衬底正面侧依次沉积本征层、P型非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和正面金属电极;所述衬底背面侧依次沉积本征层、N型非晶硅薄膜层,透明导电氧化物薄膜层和背面金属电极;所述的本征层是本征非晶硅薄膜层或本征非晶硅氧薄膜层,厚度为3~20nm。本实用新型通过在硅片的正面和背面插入本征层材料,使得光电转换效率得到提高。
搜索关键词: 一种 异质结 太阳电池
【主权项】:
一种异质结太阳电池,其特征在于,包括以N型单晶硅材料制成的衬底(5),所述衬底(5)正面侧依次沉积本征层(4)、P型非晶硅薄膜层(3)、透明导电氧化物薄膜层(2)和正面金属电极(1);所述衬底(5)背面侧依次沉积本征层(4)、N型非晶硅薄膜层(6),透明导电氧化物薄膜层(2)和背面金属电极(7);所述的本征层(4)是本征非晶硅薄膜层或本征非晶硅氧薄膜层,厚度为3~20nm。
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