[发明专利]半导体器件制备台面缓坡的方法无效
| 申请号： | 201210596278.0 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103065941A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 塞万·拉方波罗塞;黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 无锡沃浦光电传感科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制备台面缓坡的方法，包括如下步骤：(1)对晶圆或芯片进行光刻，将待刻蚀的台面图形转移至光刻胶上；(2)光刻胶回流，在光刻胶边缘形成缓坡；(3)用干法刻蚀，将缓坡形状转移至晶圆或芯片上；(4)去除光刻胶，在晶圆或芯片上形成需要的台面缓坡结构。本发明可以解决目前通用的使用湿法刻蚀方法带来的侧蚀严重，不易控制的问题，实现对台面缓坡的角度、刻蚀深度的良好控制，从而有效提高半导体器件的性能和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 台面 缓坡 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制备台面缓坡的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对晶圆或芯片进行光刻，将待刻蚀的台面图形转移至光刻胶上；(2)光刻胶回流，在光刻胶边缘形成缓坡；(3)用干法刻蚀，将缓坡形状转移至晶圆或芯片上；(4)去除光刻胶，在晶圆或芯片上形成需要的台面缓坡结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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