[发明专利]半导体器件制备台面缓坡的方法无效
| 申请号： | 201210596278.0 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103065941A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 塞万·拉方波罗塞;黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 无锡沃浦光电传感科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 台面 缓坡 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件制备台面缓坡的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)对晶圆或芯片进行光刻，将待刻蚀的台面图形转移至光刻胶上；
(2)光刻胶回流，在光刻胶边缘形成缓坡；
(3)用干法刻蚀，将缓坡形状转移至晶圆或芯片上；
(4)去除光刻胶，在晶圆或芯片上形成需要的台面缓坡结构。
2.如权利要求1所述的半导体器件制备台面缓坡的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的光刻胶回流，包括热板上烘烤，或者烤箱中烘烤，或者使用等离子体轰击的方法。
3.权利要求2述的半导体器件制备台面缓坡的方法，其特征在于，步骤(2)中缓坡的形状和角度由光刻胶的类型、厚度、以及烘烤的温度、烘烤的时间或者等离子轰击的能量和时间共同决定。
4.权利要求1述的半导体器件制备台面缓坡的方法，其特征在于，步骤(3)所述的干法刻蚀，包括耦合等离子体刻蚀，反应离子刻蚀，和离子束刻蚀。
5.权利要求4述的半导体器件制备台面缓坡的方法，其特征在于，步骤(3)中光刻胶的缓坡形状以及光刻胶与芯片之间的刻蚀比共同决定了芯片上形成的台面缓坡的形状和角度。
6.权利要求5述的半导体器件制备台面缓坡的方法，其特征在于，所述的台面缓坡形状俯视为多边形，优选为四边形、五边形或八边形。
7.权利要求5述的半导体器件制备台面缓坡的方法，其特征在于，所述的台面缓坡形状俯视为圆形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
