[发明专利]一种用于大型板式PECVD设备的表面电场增强装置无效

专利信息
申请号: 201210593436.7 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN103046027A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 李昌龙;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;张妍;王学敏;李松;屈秋霞;张缔;朱龙来;徐浩宇;赵科新;闫用用 申请(专利权)人: 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
主分类号: C23C16/511 分类号: C23C16/511
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 何丽英
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于PECVD设备表面电场增强技术领域,具体地说是一种用于大型板式PECVD设备的表面电场增强装置。包括工艺腔和设置于工艺腔内的电极基板、碳板、传输滚轮及绝缘销,其中电极基板通过绝缘销固接于工艺腔的内壁上,所述碳板设置于电极基板的下方、并与电极基板之间留有间隙,所述电极基板接入电压。本发明可吸引N3-或Si4+离子,增大了输送到生长表面的离子流量,能提高沉积速率。
搜索关键词: 一种 用于 大型 板式 pecvd 设备 表面 电场 增强 装置
【主权项】:
一种用于大型板式PECVD设备的表面电场增强装置,其特征在于:包括工艺腔(7)和设置于工艺腔(7)内的电极基板(3)、碳板(2)、传输滚轮(1)及绝缘销(8),其中电极基板(3)通过绝缘销(8)固接于工艺腔(7)的内壁上,所述碳板(2)设置于传输滚轮(1)上、并位于电极基板(3)的下方,碳板(2)与电极基板(3)之间留有间隙,所述电极基板(3)接入电压,吸引N3‑或Si4+离子。
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