[发明专利]反应腔室无效
申请号: | 201210592831.3 | 申请日: | 2012-12-29 |
公开(公告)号: | CN103074599A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 梁秉文 | 申请(专利权)人: | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种反应腔室。所述反应腔室包括腔体、设置在所述腔体顶部的喷淋头和设置在所述腔体底部且与所述喷淋头相对设置的托盘,所述托盘下方具有加热器。所述反应腔室还包括保温结构,所述保温结构环绕在所述托盘周围。在托盘边缘设置保温结构,能够减少托盘边缘部分的热量散失,使得托盘边缘部分与中间部分的温度基本保持一致,有利于均匀的加热位于托盘上的衬底,在化学气相沉积过程中,能够获得更好的沉积效果,避免了不同区域由于温度不同而引起的沉积率不同的问题,从而使得沉积均匀,获得高质量的膜层。 | ||
搜索关键词: | 反应 | ||
【主权项】:
一种反应腔室,包括腔体、设置在所述腔体顶部的喷淋头和设置在所述腔体底部且与所述喷淋头相对设置的托盘,所述托盘下方具有加热器;其特征在于,所述反应腔室还包括保温结构,所述保温结构环绕在所述托盘周围。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的