[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210581650.0 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367142A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 石黑哲郎;山田敦史;中村哲一;今西健治 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体及其制造方法。所述制造化合物半导体器件的方法的一个实施方案包括：在衬底上形成初始层；在初始层上形成缓冲层；在缓冲层上形成电子传输层和电子供给层；以及在电子供给层上形成栅电极、源电极和漏电极。形成初始层包括：在流量比为第一值的情况下形成第一化合物半导体膜，流量比为V族元素源气体的流量与III族元素源气体的流量的比；以及在流量比为不同于第一值的第二值的情况下在第一化合物半导体膜上形成第二化合物半导体膜。该方法还包括在缓冲层和电子传输层之间形成Fe掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造化合物半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成初始层；在所述初始层之上形成缓冲层；在所述缓冲层之上形成电子传输层和电子供给层；以及在所述电子供给层之上形成栅电极、源电极和漏电极，其中，所述形成初始层包括：在流量比为第一值的情况下形成第一化合物半导体膜，所述流量比为第V族元素源气体的流量与第III族元素源气体的流量之比；以及在所述流量比为不同于所述第一值的第二值的情况下，在所述第一化合物半导体膜之上形成第二化合物半导体膜，以及所述方法还包括在所述缓冲层和所述电子传输层之间形成掺杂有Fe的Fe掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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