[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造化合物半导体器件的方法，包括：

在衬底之上形成初始层；

在所述初始层之上形成缓冲层；

在所述缓冲层之上形成电子传输层和电子供给层；以及

在所述电子供给层之上形成栅电极、源电极和漏电极，

其中，

所述形成初始层包括：

在流量比为第一值的情况下形成第一化合物半导体膜，所述流量比为第V族元素源气体的流量与第III族元素源气体的流量之比；以及

在所述流量比为不同于所述第一值的第二值的情况下，在所述第一化合物半导体膜之上形成第二化合物半导体膜，以及

所述方法还包括在所述缓冲层和所述电子传输层之间形成掺杂有Fe的Fe掺杂区域。

2.根据权利要求1所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第一化合物半导体膜和所述第二化合物半导体膜中的每一个均为AlN膜。

3.根据权利要求1或2所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第二值小于所述第一值。

4.根据权利要求3所述的制造化合物半导体器件的方法，其中，

所述第一值为100或更高并且1000或更低，以及

所述第二值为10或更低。

5.根据权利要求1或2所述的制造化合物半导体器件的方法，其中以1×10¹⁶cm^-3至1×10¹⁸cm^-3的浓度将Fe掺杂到所述Fe掺杂区域。

6.根据权利要求1或2所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第二化合物半导体膜比所述第一化合物半导体膜厚。

7.根据权利要求1或2所述的制造化合物半导体器件的方法，其中在60KPa或更高的压力下形成所述电子传输层。

8.根据权利要求1或2所述的制造化合物半导体器件的方法，其中在所述流量比为10000或更高的情况下形成所述电子传输层。

9.根据权利要求1或2所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述初始层、所述缓冲层、所述电子传输层和所述电子供给层中的每一个均为氮化物半导体层。

10.根据权利要求1或2所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述衬底为Si衬底。

11.一种化合物半导体器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的初始层；

形成在所述缓冲层之上的电子传输层和电子供给层；以及

形成在所述电子供给层之上的栅电极、源电极和漏电极，

其中，

所述初始层包括：

第一化合物半导体膜；以及

形成在所述第一化合物半导体膜之上的第二化合物半导体膜，所述第二化合物半导体膜的位错密度低于所述第一化合物半导体膜的位错密度，以及

在所述缓冲层和所述电子传输层之间形成有掺杂有Fe的Fe掺杂区域。

12.根据权利要求11所述的化合物半导体器件，其中所述第一化合物半导体膜和所述第二化合物半导体膜中的每一个均为AlN膜。

13.根据权利要求11或12所述的化合物半导体器件，其中以1×10¹⁶cm^-3至1×10¹⁸cm^-3的浓度将Fe掺杂到所述Fe掺杂区域。

14.根据权利要求11或12所述的化合物半导体器件，其中在所述电子传输层的上表面处的Fe密度为1×10¹⁶cm^-3或更低。

15.根据权利要求11或12所述的化合物半导体器件，其中所述衬底为Si衬底。

16.一种电源装置，其包括根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件。

17.一种放大器，其包括根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件。