[发明专利]连续脉冲发生器有效

专利信息
申请号: 201210580111.5 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103066953B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 孙翔 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H03K3/017 分类号: H03K3/017
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,提供一连续脉冲发生器,包括驱动可变反相器和偶数个反相器单元串联形成的反相器链,所述驱动可变反相器包括反相器单元、PMOS阵列、NMOS阵列。通过调节PMOS阵列与NMOS阵列接入驱动可变反相器中反相器单元输入端的MOS晶体管数量来调节其翻转判别电平,从而实现控制以及调节输出脉冲信号占空比的目的。该连续脉冲发生器电路结构简单,与现有CMOS半导体工艺完全兼容,且能够更灵活、更便捷的调整脉冲宽度以方便达到最优的传输信号带宽,提供频率可控且脉宽不同的脉冲序列,调整传输信号的带宽,得到高质量的信号,使得调制方式更加灵活,广泛适用于无线通信领域。
搜索关键词: 连续 脉冲 发生器
【主权项】:
一种连续脉冲发生器,其特征在于,包括振荡器反馈环路,所述振荡器反馈环路包括驱动可变反相器和偶数个反相器单元串联形成的反相器链,所述驱动可变反相器包括:反相器单元;PMOS阵列,连接于工作电源与所述驱动可变反相器的反相器单元输出端之间;NMOS阵列,连接于所述驱动可变反相器的反相器单元输出端与地之间;其中,所述驱动可变反相器还包括:PMOS晶体管形成的第一电流源和NMOS晶体管形成的第二电流源;所述反相器单元为CMOS反相器单元,包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的源极分别连接第一电流源和第二电流源,栅极连接在一起作为所述反相器单元的输入端,漏极连接在一起作为所述反相器单元的输出端;所述连续脉冲发生器还包括频率控制模块,所述频率控制模块包括两输出端,分别连接所述第一、第二电流源栅极,用于调节连续脉冲发生器的频率;所述PMOS阵列包括n个PMOS晶体管,其中n≥1且n为整数;所述各PMOS晶体管的源极均连接工作电源,漏极均连接所述驱动可变反相器输出端,栅极均通过一个开关连接工作电源和通过另一个开关连接所述驱动可变反相器的输入端。
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