[发明专利]连续脉冲发生器

权利要求书

1.一种连续脉冲发生器，其特征在于，包括振荡器反馈环路，所述振荡器反馈环路包括驱动可变反相器和偶数个反相器单元串联形成的反相器链，所述驱动可变反相器包括：

反相器单元；

PMOS阵列，连接于工作电源与所述驱动可变反相器的反相器单元输出端之间；

NMOS阵列，连接于所述驱动可变反相器的反相器单元输出端与地之间；其中，所述驱动可变反相器还包括：PMOS晶体管形成的第一电流源和NMOS晶体管形成的第二电流源；所述反相器单元为CMOS反相器单元，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的源极分别连接第一电流源和第二电流源，栅极连接在一起作为所述反相器单元的输入端，漏极连接在一起作为所述反相器单元的输出端；

所述连续脉冲发生器还包括频率控制模块，所述频率控制模块包括两输出端，分别连接所述第一、第二电流源栅极，用于调节连续脉冲发生器的频率；

所述PMOS阵列包括n个PMOS晶体管，其中n≥1且n为整数；所述各PMOS晶体管的源极均连接工作电源，漏极均连接所述驱动可变反相器输出端，栅极均通过一个开关连接工作电源和通过另一个开关连接所述驱动可变反相器的输入端。

2.根据权利要求1所述的连续脉冲发生器，其特征在于，所述偶数个反相器单元串联形成的反相器链中包括2个或4个反相器单元，且各反相器单元的特征尺寸和驱动能力均相等。

3.根据权利要求1所述的连续脉冲发生器，其特征在于，所述PMOS阵列中各PMOS晶体管的沟道长度与所述驱动可变反相器中第一PMOS晶体管的沟道长度相等；所述PMOS阵列中PMOS晶体管M_pi的沟道宽度为所述驱动可变反相器中第一PMOS晶体管沟道宽度的2^i-1倍，其中：1≤i≤n且i为整数。

4.根据权利要求1所述的连续脉冲发生器，其特征在于，所述PMOS阵列中，与驱动可变反相器输入端连接的开关导通、与工作电源连接的开关断开时，对应PMOS晶体管选通；反之则对应PMOS晶体管未选通。

5.根据权利要求1所述的连续脉冲发生器，其特征在于，所述NMOS阵列包括m个NMOS晶体管，其中m≥1且m为整数；所述各NMOS晶体管的源极均接地，漏极均连接所述驱动可变反相器的输出端，栅极均通过一个开关连接所述驱动可变反相器的输入端和通过另一个开关连接地。

6.根据权利要求5所述的连续脉冲发生器，其特征在于，所述NMOS阵列中各NMOS晶体管的沟道长度与所述驱动可变反相器中第一NMOS晶体管的沟道长度相等；所述NMOS阵列中的NMOS晶体管M_nl的沟道宽度为所述驱动可变反相器中第一NMOS晶体管沟道宽度的2^l-1倍，其中：1≤l≤m且l为整数。

7.根据权利要求5所述的连续脉冲发生器，其特征在于，所述NMOS阵列中，与驱动可变反相器输入端连接的开关导通、与地连接的开关断开时，对应NMOS晶体管选通；反之则对应NMOS晶体管未选通。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的连续脉冲发生器，其特征在于，所述PMOS阵列和所述NMOS阵列中的各开关均连接有数字输入控制信号，用于控制所述PMOS阵列中各PMOS晶体管和NMOS阵列中各NMOS晶体管的选通状态，以调节连续脉冲发生器的占空比。

9.根据权利要求2～7中任意一项所述的连续脉冲发生器，其特征在于，所述PMOS阵列中PMOS晶体管数量n与所述NMOS阵列中NMOS晶体管数量m相等。