[发明专利]工艺反应腔及工艺设备在审
| 申请号： | 201210579059.1 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103898473A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 董志清 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工艺反应腔及工艺设备。该工艺反应腔包括：腔体、承载装置、进气装置和感应线圈，所述感应线圈位于所述腔体的外部，所述感应线圈用于产生磁场，所述承载装置设置于所述腔体的内部且与所述腔体同轴设置，所述承载装置和所述腔体之间形成气体通道，所述承载装置的外周面上放置有衬底，所述衬底位于所述气体通道中，所述进气装置用于向所述气体通道内通入工艺气体。本发明的技术方案穿过所述承载装置的磁力线的密度均匀分布，使得感应线圈对承载装置的加热温度均匀，从而提高了工艺的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 反应 工艺设备 | ||
【主权项】：
一种工艺反应腔，包括：腔体、承载装置、进气装置和感应线圈，所述感应线圈位于所述腔体的外部，所述感应线圈用于产生磁场，其特征在于，所述承载装置设置于所述腔体的内部且与所述腔体同轴设置，所述承载装置和所述腔体之间形成气体通道，所述承载装置的外周面上放置有衬底，所述衬底位于所述气体通道中，所述进气装置用于向所述气体通道内通入工艺气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
