[发明专利]工艺反应腔及工艺设备

权利要求书

1.一种工艺反应腔，包括：腔体、承载装置、进气装置和感应线圈，所述感应线圈位于所述腔体的外部，所述感应线圈用于产生磁场，其特征在于，所述承载装置设置于所述腔体的内部且与所述腔体同轴设置，所述承载装置和所述腔体之间形成气体通道，所述承载装置的外周面上放置有衬底，所述衬底位于所述气体通道中，所述进气装置用于向所述气体通道内通入工艺气体。

2.根据权利要求1所述的工艺反应腔，其特征在于，所述承载装置的外周面上开设有若干个凹槽，每个凹槽中放置一个所述衬底。

3.根据权利要求2所述的工艺反应腔，其特征在于，所述腔体为透明石英筒状结构，所述承载装置为石墨筒状结构。

4.根据权利要求3所述的工艺反应腔，其特征在于，所述凹槽呈斜坡状，斜坡状的凹槽整体向腔体的内侧以预设角度倾斜。

5.根据权利要求2所述的工艺反应腔，其特征在于，所述承载装置为具有锥度的多面体结构，所述多面体结构中每个面整体向腔体的内侧倾斜。

6.根据权利要求5所述的工艺反应腔，其特征在于，所述多面体结构的面数根据所述衬底的尺寸、所述承载装置的尺寸和所述腔体的高度设置。

7.根据权利要求1所述的工艺反应腔，其特征在于，所述工艺反应腔还包括：排气装置，所述进气装置位于所述气体通道的一端，所述排气装置位于所述气体通道的对应的另一端；

所述排气装置，用于将反应后的剩余气体排出至所述腔体的外部。

8.根据权利要求7所述的工艺反应腔，其特征在于，所述工艺反应腔还包括：第一法兰结构和第二法兰结构，所述第一法兰结构设置于所述腔体的上端，所述第二法兰结构设置于所述腔体的下端；

所述进气装置设置于所述第一法兰结构上，所述排气装置设置于所述第二法兰结构上；或者，所述进气装置设置于所述第二法兰结构上，所述排气装置设置于所述第一法兰结构上。

9.根据权利要求1所述的工艺反应腔，其特征在于，所述承载装置绕轴向以预定速度旋转。

10.一种工艺设备，其特征在于，包括：权利要求1至9任一所述的工艺反应腔。