[发明专利]在衬底上沉积多层材料层的方法及化学气相沉积设备无效
申请号: | 201210578613.4 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103074616A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 梁秉文 | 申请(专利权)人: | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/54 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种在衬底上沉积多层材料层的方法及化学气相沉积设备。采用了多个生长腔室,将沉积的多层材料层分在多个生长腔室内进行,至少两个生长腔室用于生长多层材料层的不同层材料层,如此一方面使得不同的生长腔室能够很容易满足不同材料层生长的温度、压强等条件不同的需要,有利于各层材料层的正常生长;另一方面,各个生长腔室可以较佳的控制反应时间,从而使得生产过程中尽可能的避免某一或某些腔室处于等待状态的问题,大大的提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 衬底 沉积 多层 材料 方法 化学 设备 | ||
【主权项】:
一种在衬底上沉积多层材料层的方法,利用具有多个生长腔室的化学气相沉积设备进行,其特征在于,包括:步骤一:将一批基片通过一个基座共同传送至第一生长腔室中,在所述第一生长腔室中对所述基片沉积第一材料层;步骤二:将所述第一生长腔室中的基片和基座共同传送至第二生长腔室中,在所述第二生长腔室中对所述基片沉积第二材料层;然后,将另一批基片通过另一个基座共同传送至所述第一生长腔室中,并在所述第一生长腔室中对所述基片沉积第一材料层;步骤三:将所述第二生长腔室中的基片和基座共同取出所述第二生长腔室,然后执行步骤二。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的