[发明专利]氧化物半导体制造方法及薄膜晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201210573708.7 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103903988A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;C23C14/34;C23C14/08;H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氧化物半导体制造方法，包括：提供一基板；在基板上溅镀来自第一金属氧化物靶材上的金属离子并在基板上溅镀来自第二金属氧化物靶材上的至少两种金属离子以沉积形成氧化物半导体薄膜，并在溅镀过程中控制薄膜沉积速率以及溅镀设备挡板的使用周期来调整薄膜的成分比例，该第二金属氧化物靶材上的至少两种金属离子均不同于来自第一金属氧化物靶材上的金属离子。该种方法能够有效控制制备所得氧化物半导体薄膜的成分比例，有利于提升薄膜晶体管的制造品质。本发明还提供一种薄膜晶体管制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 制造 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体制造方法，包括：提供一基板；在基板上溅镀来自第一金属氧化物靶材上的金属离子并在基板上溅镀来自第二金属氧化物靶材上的至少两种金属离子以沉积形成氧化物半导体薄膜，并在溅镀过程中控制薄膜沉积速率以及溅镀设备挡板的使用周期来调整薄膜的成分比例，该第二金属氧化物靶材上的至少两种金属离子均不同于来自第一金属氧化物靶材上的金属离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
