[发明专利]抗蚀剂添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂组合物

摘要

本发明公开了一种下式1表示的抗蚀剂添加剂和包含该添加剂的抗蚀剂组合物。在抗蚀剂组合物中包含的抗蚀剂添加剂改善在曝光过程中抗蚀剂膜表面的疏水性以防止在浸没式光刻过程中在水中浸出，并且形成具有优异的敏感度和高分辨率的微抗蚀剂图案：式1在式1中，取代基的定义如说明书中所述。

主权项

1.一种由下式1表示的抗蚀剂添加剂：式1其中，R₁和R₂各自独立地为氢原子或C1-C8烷基，R₃选自C1-C20亚烷基、C2-C20亚烯基、C1-C20杂亚烷基、C2-C20杂亚烯基、C3-C30环烷二基、C3-C30环烯二基、C2-C30杂环烷二基和C3-C30杂环烷二基，其中至少一个氢原子被选自C1-C10烷基、C1-C20卤代烷基和C3-C30环烷基中的一个基团取代或未被取代，R₄是选自C1-C20卤代烷基、有机硅基团和C3-C20烃基中的疏水性基团，R₅是选自中的酸不稳定基团，其中R_a、R_b、R_c和R_d各自独立地选自C1-C20烷基、C3-C30环烷基、(C1-C10烷基)环烷基、羟烷基、C1-C20烷氧基、(C1-C10烷氧基)烷基、乙酰基、乙酰烷基、羧基、(C1-C10烷基)羧基、(C3-C18环烷基)羧基和C3-C30杂环烷基中，或者R_a、R_b、R_c和R_d相邻基团之间稠合在一起形成C3-C30饱和或不饱和的烃环或C2-C30杂环基，p是0-3的整数，q是0-10的整数，l、m和n分别是主链中重复单元的数目，其中l+m+n=1，0<l/(l+m+n)<0.99，0≤m/(l+m+n)<0.99和0<n/(l+m+n)≤0.20，以及o是0或1的整数，其中如果o为0，则R₄是有机硅基团，而如果o为1，则R₄是C1-C20卤代烷基或C3-C20烃基。