[发明专利]发光二极管元件有效
申请号: | 201210570399.8 | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN102983242B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 许嘉良 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 卢亚静 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管元件。该发光二极管元件包括半导体结构,具有第一型半导体层及第二型半导体层;出光区,具有第一斜侧壁、靠近该半导体结构的第一面、及远离该半导体结构的第二面;及第一导线,位于该第一斜侧壁上,并电性连接至该第一型半导体层。本发明达到缩小发光二极管元件封装尺寸与简化封装工艺的目的,同时提升发光二极管元件出光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 元件 | ||
【主权项】:
一种发光二极管元件,包括:半导体结构,具有第一型半导体层及第二型半导体层;出光区,具有靠近该半导体结构的第一面、远离该半导体结构的第二面、以及位于该第一面以及该第二面之间的第一斜侧壁;及第一导线,电性连接至该第一型半导体层;第一电极,位于该第一型半导体层上且电性连接至该第一型半导体层;第一焊接垫,电性连接至该第一型半导体层,并位于该第二面上;其中该第二型半导体层介于该第一型半导体层以及该出光区之间,该半导体结构与该出光区位于该第一电极以及该第一焊接垫之间,该第一导线沿该第一面上方及该第一斜侧壁连接该第一焊接垫;其中该半导体结构以外延工艺从该出光区形成。
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