[发明专利]发光二极管元件有效

专利信息
申请号: 201210570399.8 申请日: 2008-01-23
公开(公告)号: CN102983242B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 许嘉良 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/62
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 卢亚静
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 元件
【权利要求书】:

1.一种发光二极管元件,包括:

半导体结构,具有第一型半导体层及第二型半导体层;

出光区,具有靠近该半导体结构的第一面、远离该半导体结构的第二面、以及位于该第一面以及该第二面之间的第一斜侧壁;及

第一导线,电性连接至该第一型半导体层;

第一电极,位于该第一型半导体层上且电性连接至该第一型半导体层;

第一焊接垫,电性连接至该第一型半导体层,并位于该第二面上;其中该第二型半导体层介于该第一型半导体层以及该出光区之间,该半导体结构与该出光区位于该第一电极以及该第一焊接垫之间,该第一导线沿该第一面上方及该第一斜侧壁连接该第一焊接垫;

其中该半导体结构以外延工艺从该出光区形成。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件,其中该第一斜侧壁与该第一面或该第二面间的角度为15~75度。

3.如权利要求2所述的发光二极管元件,其更包含焊锡位于该第一斜侧壁上。

4.如权利要求2所述的发光二极管元件,其中该出光区具有相对于该第一斜侧壁的第二斜侧壁。

5.如权利要求4所述的发光二极管元件,还包括:

第二导线,位于该第二斜侧壁上,且电性连接至该第二型半导体层。

6.如权利要求1所述的发光二极管元件,还包括第二电极,该第二电极电性连接至该第二型半导体层。

7.如权利要求3所述的发光二极管元件,其中该第一导线延伸至该半导体结构的侧壁并与该第一焊接垫以及该第一电极连接。

8.如权利要求3所述的发光二极管元件,其中该第一导线延伸至该半导体结构的侧壁。

9.如权利要求1所述的发光二极管元件,还包括:

第二焊接垫,电性连接至该第二型半导体层,并位于该第二面上。

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