[发明专利]自对准超结功率晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201210567787.0 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103000533A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 贾璐;楼颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自对准超结功率晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成外延层、第一光刻胶；利用掩膜版对所述第一光刻胶进行曝光，所述掩膜版上具有多个第一沟槽图形和第二沟槽图形，相邻两个所述第一沟槽图形之间具有一所述第二沟槽图形，所述第二沟槽图形与其两侧相邻的第一沟槽图形的距离相等；所述第二沟槽图形与所述超结功率晶体管栅极的位置对应。本发明的技术方案利用一次掩膜版对所述外延层上的光刻胶进行曝光，确保了所述第二沟槽不会偏离相邻两第一沟槽之间的中央位置，避免了所述超结功率晶体管的击穿电压变小的问题的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 功率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种自对准超结功率晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层上形成第一光刻胶；利用掩膜版对所述第一光刻胶进行曝光，而后通过显影将所述掩膜版的图形转移至所述第一光刻胶，所述掩膜版上具有多个第一沟槽图形和第二沟槽图形，相邻两个所述第一沟槽图形之间具有一所述第二沟槽图形，所述第二沟槽图形与其两侧相邻的第一沟槽图形的距离相等；以显影处理后的所述第一光刻胶作为掩模，刻蚀所述外延层，在所述外延层上形成若干第一沟槽和若干第二沟槽，后续工艺中在所述第二沟槽内形成所述超结功率晶体管的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210567787.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可爬楼的行李箱
- 下一篇：一种铝制导电汇流排的新结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
