[发明专利]MOS晶体管的制作方法和圆角化沟槽顶部尖角的方法有效
| 申请号： | 201210564368.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021870A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖;吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | MOS晶体管的制作方法和圆角化沟槽顶部尖角的方法，其中所述MOS晶体管为沟槽型MOS晶体管，其制作方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括硅外延层；在硅外延层上依次形成牺牲层、保护层；刻蚀保护层、牺牲层和硅外延层，在保护层、牺牲层中形成通孔，在硅外延层中形成与通孔连通的沟槽；利用湿法刻蚀去除部分的牺牲层，使得沟槽顶部两侧的部分硅外延层被暴露；进行热氧化工艺，以使得沟槽顶部两侧暴露出来的硅外延层和沟槽内壁的硅外延层被氧化成氧化硅从而圆角化所述沟槽顶部的尖角，进而避免了沟槽型MOS晶体管发生尖端放电。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制作方法 角化 沟槽 顶部 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括硅外延层；在所述硅外延层上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成保护层；刻蚀所述保护层、牺牲层和硅外延层，以在所述保护层、牺牲层中形成通孔，在所述硅外延层中形成与所述通孔连通的沟槽；利用湿法刻蚀处理所述通孔，以去除部分的牺牲层，使得所述沟槽顶部两侧的部分硅外延层被暴露；进行热氧化工艺，以使得沟槽顶部两侧暴露出来的硅外延层和沟槽内壁的硅外延层被氧化成氧化硅；去除热氧化形成的氧化硅，之后在所述沟槽内形成沟槽型MOS晶体管的栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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