[发明专利]MOS晶体管的制作方法和圆角化沟槽顶部尖角的方法有效
| 申请号： | 201210564368.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021870A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖;吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制作方法 角化 沟槽 顶部 方法 | ||
1.一种沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底包括硅外延层；
在所述硅外延层上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成保护层；
刻蚀所述保护层、牺牲层和硅外延层，以在所述保护层、牺牲层中形成通孔，在所述硅外延层中形成与所述通孔连通的沟槽；
利用湿法刻蚀处理所述通孔，以去除部分的牺牲层，使得所述沟槽顶部两侧的部分硅外延层被暴露；
进行热氧化工艺，以使得沟槽顶部两侧暴露出来的硅外延层和沟槽内壁的硅外延层被氧化成氧化硅；
去除热氧化形成的氧化硅，之后在所述沟槽内形成沟槽型MOS晶体管的栅极结构。
2.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述牺牲层为氧化硅层，所述保护层为氮化硅层。
3.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，在所述保护层、牺牲层中形成通孔，在所述硅外延层中形成与所述通孔连通的沟槽的工艺包括：
在所述保护层上形成光刻胶；
利用曝光显影工艺在所述光刻胶上形成沟槽的图形；
利用具有沟槽的图形的光刻胶作为掩模，刻蚀所述保护层、牺牲层和硅外延层；
去除光刻胶。
4.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度为
5.如权利要求1或4所述的沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，沟槽顶部每侧被暴露出的硅外延层的宽度为
6.一种沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底包括硅外延层；
在所述硅外延层上形成保护层；
刻蚀所述保护层和硅外延层，以在所述保护层中形成通孔，在所述硅外延层中形成与所述通孔连通的沟槽；
在所述保护层上形成掩模层，所述掩模层上具有窗口，所述窗口的开口大于所述通孔的开口，且完全暴露所述通孔；
刻蚀所述保护层，以暴露出部分硅外延层；
进行热氧化工艺，以使得沟槽顶部两侧暴露出来的硅外延层和沟槽内壁的硅外延层被氧化成氧化硅；
去除热氧化形成的氧化硅，之后在所述沟槽内制作栅极结构。
7.如权利要求6所述的沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述保护层为氮化硅层。
8.如权利要求6所述的沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述保护层包括氧化硅层与位于氧化硅层上方的氮化硅层。
9.如权利要求6所述的沟槽型MOS晶体管的制作方法，其特征在于，沟槽顶部每侧被暴露出的硅外延层的宽度为
10.一种圆角化沟槽顶部尖角的方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底；
在硅衬底上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成保护层；
刻蚀所述保护层、牺牲层和硅衬底，以在所述保护层、牺牲层中形成通孔，在所述硅衬底中形成与所述通孔连通的沟槽；
利用湿法刻蚀处理所述通孔，以去除部分的牺牲层，使得所述沟槽顶部两侧的部分硅衬底被暴露；
进行热氧化工艺，以使得沟槽顶部两侧暴露出来的硅衬底和沟槽内壁的硅衬底被氧化成氧化硅；
去除热氧化形成的氧化硅。
11.如权利要求10所述的圆角化沟槽顶部尖角的方法，其特征在于，所述牺牲层为氧化硅层，所述保护层为氮化硅层。
12.如权利要求10所述的圆角化沟槽顶部尖角的方法，其特征在于，所述保护层的厚度为
13.如权利要求10或12所述的圆角化沟槽顶部尖角的方法，其特征在于，沟槽顶部每侧被暴露出的硅衬底的宽度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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