[发明专利]金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、埋层集电区、轻掺杂外延层、集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂多晶发射区、重掺杂单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括抬升外基区低电阻金属硅化物层、Si/SiGe/Si多晶层和重掺杂多晶硅层。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持现有技术所具有的优点的同时进一步地减小了RB，优化了器件性能。

主权项

一种金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管，包括第一导电类型的衬底、第二导电类型的埋层集电区、生长在所述衬底和埋层集电区上的第二导电类型的轻掺杂外延层、在所述轻掺杂外延层内形成连接所述埋层集电区的第二导电类型重掺杂集电极引出区、在轻掺杂外延层中形成的场区介质层、位于轻掺杂外延层内的选择注入集电区、对应于所述选择注入集电区的本征基区外延层和发射区‑基区隔离介质区、位于所述发射区‑基区隔离介质区内侧的第二导电类型重掺杂多晶发射区、位于本征基区外延层内且对应发射区‑基区隔离介质区所围成窗口的第二导电类型重掺杂单晶发射区、位于所述发射区‑基区隔离介质区外围的抬升外基区、以及位于抬升外基区下方的氧化硅隔离介质层；所述发射区‑基区隔离介质区由外侧的非保形覆盖氧化硅层和内侧的氮化硅侧墙组成，其特征在于：所述抬升外基区包括抬升外基区低电阻金属硅化物层、以及位于所述抬升外基区低电阻金属硅化物层下方的Si/SiGe/Si多晶层和第一导电类型重掺杂多晶硅层；所述抬升外基区低电阻金属硅化物层一直延伸至所述发射区‑基区隔离介质区外侧。