[发明专利]具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管

摘要

在本发明中提供了一种高电压横向扩散金属氧化物半导体(HV LDMOS)器件(具体为绝缘栅极双极结型晶体管(IGBT))及其制造方法。该器件包括具有至少一个高度掺杂的埋置部分的半导体衬底；在衬底上方生长的第一掺杂阱；在第一阱上形成的栅极结构；在栅极结构的一侧上形成的源极和在栅极结构的另一侧形成的漏极；以及在第一阱中形成的具有U形截面的第二掺杂阱。漏极的一部分形成在位于所述第二阱之外的第一阱上方。本发明还提供了一种具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管。

主权项

一种高电压半导体晶体管，包括：轻掺杂半导体衬底，具有第一导电类型；埋置层，位于所述半导体衬底的第一部分中，所述埋置层具有第二导电类型；第一阱区域，具有所述第二导电类型并且形成在所述轻掺杂半导体衬底上方，所述第一阱区域的掺杂物浓度低于所述埋置层的掺杂物浓度，所述埋置层部分地位于所述第一阱区域中；第二阱区域，位于所述第一阱区域中并且具有所述第一导电类型，所述第二阱区域在漏极和源极之间的横截面为U形，其中，所述U形的两个端部延伸至所述第一阱区域的顶面；第一绝缘结构，位于所述U形的第二阱区域内的所述第一阱区域上方并且部分地嵌在所述U形的第二阱区域内的所述第一阱区域内且不接触所述第二阱区域；第二绝缘结构，位于所述U形的第二阱区域的第一端部上方；栅极结构，接近所述第一阱区域上方的第一绝缘结构并且部分地位于所述U形的第二阱区域的第二端部上方；漏极结构，位于所述第一阱区域中且与所述栅极结构位于所述第一绝缘结构的相对侧，所述漏极区域包括位于所述第一绝缘结构和所述第二绝缘结构之间的第一漏极部分和第二漏极部分，所述第二漏极部分与所述第一漏极部分位于所述第二绝缘结构的相对侧；抗穿通区域，位于所述第一漏极部分的下方；以及源极区域，位于所述第二阱区域中，所述源极区域设置在所述栅极结构的与所述漏极区域相对的一侧上。