[发明专利]MOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201210553341.2 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103871968A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 于书坤;韦庆松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管的制作方法，在所述衬底上具有伪栅极，所述伪栅极上具有第一掩膜层；在伪栅极和第一掩膜层周围形成保护侧墙；在伪栅极和保护侧墙两侧的衬底中形成凹槽；在凹槽内形成半导体材料；采用湿法腐蚀去除所述保护侧墙，确保湿法腐蚀中所述第一掩膜层几乎不被腐蚀；去除所述保护侧墙后，在伪栅极周围形成主侧墙，以主侧墙为掩膜进行离子注入形成源极、漏极；在源极、漏极上形成金属硅化物；形成金属硅化物后，去除所述第一掩膜层，在衬底上形成层间介质层，层间介质层的表面与所述伪栅极的表面相平；去除伪栅极形成伪栅沟槽，在伪栅沟槽内形成导电材料作为栅极。采用本发明MOS晶体管的制作方法能够提高后续MOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上具有伪栅极，所述伪栅极上具有第一掩膜层；在所述伪栅极和第一掩膜层周围形成保护侧墙；在伪栅极和保护侧墙两侧的衬底中形成凹槽；在所述凹槽内形成半导体材料；采用湿法腐蚀去除所述保护侧墙，所述保护侧墙与所述第一掩膜层的刻蚀选择比小于等于1∶2.5，确保所述湿法腐蚀中所述第一掩膜层几乎不被腐蚀；去除所述保护侧墙后，在所述伪栅极周围形成主侧墙，以主侧墙为掩膜进行离子注入形成源极、漏极；在所述源极、漏极上形成金属硅化物；形成金属硅化物后，去除所述第一掩膜层，之后在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与所述伪栅极的表面相平；去除所述伪栅极形成伪栅沟槽，在所述伪栅沟槽内形成导电材料作为栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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