[发明专利]MOS晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上具有伪栅极，所述伪栅极上具有第一掩膜层；

在所述伪栅极和第一掩膜层周围形成保护侧墙；

在伪栅极和保护侧墙两侧的衬底中形成凹槽；

在所述凹槽内形成半导体材料；

采用湿法腐蚀去除所述保护侧墙，所述保护侧墙与所述第一掩膜层的刻蚀选择比小于等于1∶2.5，确保所述湿法腐蚀中所述第一掩膜层几乎不被腐蚀；

去除所述保护侧墙后，在所述伪栅极周围形成主侧墙，以主侧墙为掩膜进行离子注入形成源极、漏极；

在所述源极、漏极上形成金属硅化物；

形成金属硅化物后，去除所述第一掩膜层，之后在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与所述伪栅极的表面相平；

去除所述伪栅极形成伪栅沟槽，在所述伪栅沟槽内形成导电材料作为栅极。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层对衬底具有高的刻蚀选择比，确保在刻蚀所述衬底形成凹槽的过程中，所述第一掩膜层几乎不受损伤。

3.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化硅、氮氧化硅、氮化硼、氮化钛、氮化钽，当第一掩膜层的材料为氮化硅时，形成方法为炉管生长。

4.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述保护侧墙为单层或多层结构，当保护侧墙为单层结构时，保护侧墙的材料为氮化硅，当保护侧墙为多层结构时，保护侧墙的最外层材料为氮化硅，底层材料为氧化硅。

5.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述湿法腐蚀选用的腐蚀剂为：冷磷酸溶液，温度大于等于110℃且小于等于130℃，浓度大于等于70％且小于等于90％。

6.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，在去除所述第一掩膜层时，也去除所述主侧墙。

7.如权利要求6所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述主侧墙与第一掩膜层的刻蚀选择比大于等于1∶1.5且小于等于1.5∶1。

8.如权利要求6所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，去除所述第一掩膜层和去除所述主侧墙的方法为热磷酸溶液，温度大于145℃且小于等于170℃，浓度大于等于70％且小于等于90％。

9.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述凹槽为sigma形凹槽。

10.如权利要求9所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，sigma形凹槽的形成方法包括：

利用各向异性干法刻蚀在栅极结构两侧的衬底内形成矩形凹槽；

利用各向同性干法刻蚀将矩形凹槽刻蚀层成碗状凹槽；

湿法腐蚀所述碗状凹槽形成sigma形凹槽。

11.如权利要求10所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底上还具有与所述MOS晶体管类型相反的另一类型MOS晶体管；

另一类型的MOS晶体管上形成有保护层，所述保护侧墙和所述保护层材料相同；

在形成所述保护侧墙之前，在所述保护层上形成第二掩膜层；形成所述碗状凹槽之后，形成所述sigma形凹槽之前还包括步骤：去除所述第二掩膜层；

在去除所述保护侧墙时，所述湿法腐蚀也去除所述保护层。

12.如权利要求11所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，第二掩膜层为光刻胶。

13.如权利要求11所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述另一类型MOS晶体管为NMOS晶体管；或者，所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述另一类型MOS晶体管为PMOS晶体管。

14.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述导电材料为金属。

15.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，当所述晶体管为PMOS晶体管时，所述半导体材料为锗硅材料；当所述晶体管为NMOS晶体管时，所述半导体材料为碳化硅材料。

16.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成保护侧墙步骤之前还包括步骤：在伪栅极周围形成辅侧墙，以辅侧墙为掩膜对衬底进行离子注入，形成LDD结构。