[发明专利]制造阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201210539707.0 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165528A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郑英燮;李濬熙;安贞铉 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造阵列基板的方法，该方法包括：在限定了像素区域的基板上形成线或者电极，在线或者电极上形成保护层，所述保护层由氮化硅（SiNX）形成；在所述保护层上形成光刻胶图案；以及将具有所述光刻胶图案的基板加载到干法蚀刻设备的腔体中，并且使用包含三氟化氮（NF3）气体的第一气体混合物对在所述光刻胶图案之间露出的保护层进行第一干法蚀刻处理以形成露出所述线或者所述电极的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：在限定了像素区域的基板上形成线或者电极；在所述线或者电极上形成保护层，所述保护层由氮化硅（SiNX）形成；在所述保护层上形成光刻胶图案；以及将具有所述光刻胶图案的基板加载到干法蚀刻设备的腔体中，并且使用包含三氟化氮（NF3）气体的第一气体混合物对在所述光刻胶图案之间露出的保护层进行第一干法蚀刻处理以形成露出所述线或者电极的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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