[发明专利]制造阵列基板的方法

说明书

技术领域

本公开涉及包括使用三氟化氮（NF₃）气体的干法蚀刻处理的制造阵列基板的方法。

背景技术

最近几年，随着面向信息社会的前进，被配置为处理和显示大量信息的显示设备领域迅速发展。液晶显示器（LCD）或者有机发光二极管（OLED）已经作为具有诸如厚度小、重量轻和功耗低这样的优异性能的平板显示器（FPD）开发，并且已经超过现有的阴极射线管（CRT）。

在LCD中，包括具有作为能够控制每一个像素的开/关电压的开关元件的TFT的阵列基板的有源矩阵（AM）型LCD可以具有优异的分辨率和实现运动图像的能力。

另外，由于OLED是具有高亮度和低工作电压特性的发光显示器，OLED具有高对比度并且可以被制造的超薄。另外，OLED由于几微秒（μs）的响应时间可以容易能够实现运动图像，具有不受限的观看角，在低温度稳定，并且在约5到15V的低的直流（DC）电压操作，因而促进驱动电路的制造和设计。由于以上原因，OLED作为FPD最近吸引了很多注意。

LCD和OLED同样要求具有用作用于开启和关闭各个像素区域的开关元件薄膜晶体管（TFT）的阵列基板。

图1是LCD或者OLED的现有的阵列基板11的截面图，其例示形成在一个像素区域中的TFT。

如图1所示，可以在阵列基板11上形成了多个选通线（未示出）和多个数据线33，并且选通线和数据线33的交叉处限定了多个像素区域P。可以在多个显示区域P的每一个的开关区域TrA中形成栅极15。另外，可以在得到的结构的整个表面上形成栅绝缘层18以覆盖栅极15，并且可以在栅绝缘层18上顺序地形成包括由纯非晶硅（a-Si）形成的有源层22和由掺杂a-Si形成的欧姆接触层26的半导体层28。可以在欧姆接触层26上形成对应于栅极15并且彼此隔开的源极36和漏极38。在此情况下，可以叠置在开关区域TrA上的栅极15、栅绝缘层18、半导体层28和源极36和漏极38可以组成TFT Tr。

此外，可以在得到的结构的整个表面上形成包括露出漏极38的漏接触孔45的保护层42，以覆盖源极36和漏极38和露出的有源层22。可以在保护层42上的每一个像素区域P中单独地形成像素电极50，并且像素电极50通过漏接触孔45与漏极38接触。

具有上述构造的阵列基板11的制造可以涉及掩模处理。

掩模处理可以包括多个单位处理，诸如在用于构图处理要求的材料层上涂覆光刻胶，使用曝光掩模露出光刻胶，将露出的光刻胶显影，蚀刻材料层，并且剥离光刻胶。

例如，可以进行掩模处理以对由无机绝缘材料形成的保护层42构图，并且形成用于露出TFT Tr的漏极38的漏接触孔45。

一般地，保护层42可以由诸如氮化硅（SiN_X）这样的无机绝缘材料形成。由氮化硅形成的保护层42的构图可以包括使用反应气在真空腔中进行干法蚀刻处理。包含六氟化硫（SF₆）气体的气体混合物可以被用作用于干法蚀刻处理的反应气。

然而，为了防止全球暖化，进行了禁止使用导致全球暖化的气体（在下文，称为“温室气体”）或者建议温室气体的使用量的努力。

具体地，作为禁止全球暖化的措施的示例，温室气体排放贸易系统将在2015年生效，并且温室气体目标管理系统将在2012年生效。

然而，用作干法蚀刻氮化硅（SiN_X）的反应气的六氟化硫气体具有23900的全球暖化潜势（GWP），并且被分类到温室气体中具有最高GWP的温室气体。在此，GWP是温室气体导致的全球暖化的相对测量值，二氧化碳的GWP被标准化为1。

因此，使用六氟化硫的使用被抑制。当六氟化硫气体连续使用并且超过决定量时，应额外地购买对应于超出量的温室发展权（GDR），或者超出的六氟化硫气体应被重处理并且修改为非温室气体或者具有低GWP的气体并且被排放。

为了将六氟化硫气体修改为非温室气体或者具有低GWP的气体，应额外地准备温室气体重处理系统，诸如热分解系统，并且操作该系统可能造成额外成本。因此，最终产品的制造成本可能增加导致价格竞争力退化。

因此，必须用另一种反应气代替六氟化硫气体，或者降低六氟化硫气体在用于对氮化硅形成的保护层42构图的干法蚀刻处理中使用量。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种基本避免了由于现有技术的限制和缺点造成的一个或者更多个问题的显示设备。