[发明专利]原位生长的栅介质和场板介质无效
| 申请号： | 201210537477.4 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165445A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | J·P·爱德华兹;L·刘 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 吴晓萍;钟守期 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于提供具有高品质栅介质和场板介质的异质结场效应晶体管（HFET）的方法和设备。栅介质和场板介质原位沉积在半导体表面上。栅极的位置可通过在场板介质中蚀刻第一图案并使用栅介质作为蚀刻停止层而界定。或者，可以在栅介质和场板介质之间原位沉积额外的蚀刻停止层。蚀刻第一图案后，可以沉积并图案化导电材料以界定栅极。与半导体表面电接触的源极和漏极形成于栅极相对的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 生长 介质 | ||
【主权项】：
一种制造场效应晶体管（FET）的方法，该方法包括：在原位原子层沉积（ALD）方法中，在上表面具有第一半导体膜的晶片上沉积第一介质膜和第二介质膜，其中第一介质膜沉积在第一半导体膜上，且其中第二介质膜沉积在第一介质膜上；在第二介质膜中蚀刻第一图案以界定栅极的位置；在第一图案上沉积导体；以及蚀刻一部分导体以界定与第一图案部分重叠的第二图案，其中第二图案界定栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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