[发明专利]一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向所述漂移区进行N型离子注入；退火，在该漂移区形成离子浓度呈线性增加的N型漂移区；提供一设有若干第二窗口的第二掩膜版；自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入，P型柱区离漏极区有一定距离，退火后形成间隔的P柱和N柱；最后形成沟道、源区、漏区和栅区域。本发明使N柱的浓度从源端到漏端逐渐增加，消除漂移区剩余电荷，由于P柱离漏极有一定的距离，因此降低了漂移区电荷不平衡对器件性能的影响，提高可靠性。

主权项

一种SJ‑IGBT器件结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区两侧预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；将该掩膜版放置于所述漂移区之上，掩膜版和该漂移区左侧平齐，自上述第一窗口向所述漂移区进行N型离子注入；退火，在该漂移区形成沿源端到漏端方向N型载流子浓度呈线性增加的N型漂移区；提供一放置于漂移区之上并设有若干第二窗口的第二掩膜版；其中，所述第二窗口的左侧自与源端相邻的位置即与第一掩膜版的第一个遮挡部左侧平齐起始，截止于所述漏端附近，但是离漏端有一定的距离；自该第二窗口向所述N型漂移区采用三次能量和剂量依次减小的方式进行P型离子注入，形成间隔的P柱和N柱；且P柱不和漏端相连；最后形成沟道、源区、漏区和栅区域。