[发明专利]一种用于厚膜混合集成电路的成膜工艺在审
| 申请号： | 201210530145.3 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103871835A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王嵘;孙元鹏;方先华;万帮卫;杨秉谋;方彬彬 | 申请（专利权）人： | 深圳市振华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于集成电路技术领域，涉及一种用于厚膜混合集成电路的成膜工艺，该成膜工艺包括：在无机基板表面印刷银导体浆料，烘干；在烘干后的银导体浆料上印刷金导体浆料，烘干；将该无机基板进行烧结处理。该成膜工艺克服了现有技术中银导体与金导体不能很好融合且容易掉膜的缺陷，改善了银导体和金导体的结合强度，增强了银导体与金导体搭接处的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 混合 集成电路 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于厚膜混合集成电路的成膜工艺，包括以下步骤：在无机基板表面印刷银导体浆料，烘干；在烘干后的银导体浆料上印刷金导体浆料，烘干；将印刷有银导体浆料和金导体浆料的无机基板进行烧结处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
