[发明专利]逆导型IGBT的背面结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210526482.5 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103872110B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;田晓丽;朱阳军;胡爱斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型IGBT的背面结构，包括漂移区、第一N+缓冲层、绝缘层、P+集电区、N+短路区及集电极金属层；所述P+集电区与所述N+短路区中间通过所述漂移区分隔开；所述N+短路区的耗尽部分通过所述绝缘层与所述集电极金属层连接，其他部分直接与所述集电极金属层连接。本发明提供的一种逆导型IGBT的背面结构及其制备方法，通过在P+集电区和N+短路区之间加入一段低掺杂的N‑区域的漂移区，这样能使P+集电区更大程度的正偏，从而能避免回跳现象的产生，另外此结构还可以增加P+集电区有效导通面积，增加空穴的注入总量，降低了导通压降，从而降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 igbt 背面 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT的背面结构，其特征在于，包括：漂移区、第一N+缓冲层、绝缘层、P+集电区、N+短路区及集电极金属层；所述P+集电区设置在所述漂移区底部一侧，所述N+短路区设置在所述漂移区底部另一侧，所述P+集电区与所述N+短路区中间通过所述漂移区分隔开；所述P+集电区通过所述第一N+缓冲层与所述漂移区连接；所述漂移区及第一N+缓冲层均通过所述绝缘层与所述集电极金属层连接；所述P+集电区与所述集电极金属层连接；所述N+短路区的耗尽部分通过所述绝缘层与所述集电极金属层连接，其他部分直接与所述集电极金属层连接。
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