[发明专利]一种绝缘栅双级晶体管无效
| 申请号： | 201210526368.2 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103872109A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 左小珍;张杰;褚为利;赵佳;田晓丽;吴振兴;卢烁今;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：元胞区，包围所述元胞区的终端区；位于所述元胞区的多个IGBT元胞；位于所述终端区的终端结构，所述终端结构包括：多个场限环，所述多个场限环间隔分布；其中，所述场限环包括：水平部，竖直部，连接所述水平部与竖直部的弧形连接部；所述弧形连接部包括：弧形内边和弧形外边；所有弧形内边以及弧形外边的曲率中心不完全相同。本申请实施例所述IGBT通过设计场限环的结构，进而分散半导体衬底同一个顶角区域电场线的分布，避免了由于电场线过于集中同一导致顶角区域PN结的击穿，提高了IGBT的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双级 晶体管 | ||
【主权项】：
一种IGBT，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：元胞区，包围所述元胞区的终端区；位于所述元胞区的多个IGBT元胞；位于所述终端区的终端结构，所述终端结构包括：多个场限环，所述多个场限环间隔分布；其中，所述场限环包括：水平部，竖直部，连接所述水平部与竖直部的弧形连接部；所述弧形连接部包括：弧形内边和弧形外边；所有弧形内边以及弧形外边的曲率中心不完全相同。
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