[发明专利]一种绝缘栅双级晶体管无效
| 申请号： | 201210526368.2 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103872109A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 左小珍;张杰;褚为利;赵佳;田晓丽;吴振兴;卢烁今;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双级 晶体管 | ||
1.一种IGBT，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括：元胞区，包围所述元胞区的终端区；
位于所述元胞区的多个IGBT元胞；
位于所述终端区的终端结构，所述终端结构包括：多个场限环，所述多个场限环间隔分布；
其中，所述场限环包括：水平部，竖直部，连接所述水平部与竖直部的弧形连接部；所述弧形连接部包括：弧形内边和弧形外边；所有弧形内边以及弧形外边的曲率中心不完全相同。
2.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所有弧形连接部均为圆弧连接部，所述弧形内边为圆弧内边，所述弧形外边为圆弧外边。
3.根据权利要求2所述的IGBT，其特征在于，所述多个场限环中，与所述元胞区接触的场限环为同心圆场限环；其余场限环均为非同心圆场限环；
其中，所述同心圆场限环的圆弧连接部的圆弧内边与圆弧外边具有相同圆心；所述非同心圆场限环的圆弧连接部的圆弧内边与圆弧外边具有不同圆心。
4.根据权利要求3所述的IGBT，其特征在于，相邻两个场限环中，远离元胞区的场限环的内边圆弧的圆心与靠近元胞区的场限环的外边圆弧的圆心相同；
所有圆弧连接部的圆弧内边的圆心以及圆弧外边的圆心均位于所述半导体衬底的对角线上。
5.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，还包括：
设置在所述场限环内的接触孔。
6.根据权利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述接触孔为设置在所述弧形连接部的圆形孔或是四边形孔或是1/4圆环形孔。
7.根据权利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述接触孔形状为与所述场限环形状相匹配的环状沟槽。
8.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述终端结构还包括：
包围所述多个场限环的场截止环。
9.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述场限环的个数范围为3-20。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司，未经上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210526368.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
