[发明专利]半导体元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210524717.7 申请日: 2012-12-07
公开(公告)号: CN103165532A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 片冈一郎;五十岚一也 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L51/56
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李颖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体元件的制造方法。提供具有质量优异的切割部分的半导体元件的制造方法,该方法使得切割所需的硅基板上的区域最小化,并且该方法防止在实施通过切片进行的切割时使用的切割水进入半导体元件。该半导体元件的制造方法包括:在硅基板上布置多个半导体元件部分以使其彼此相邻;使用树脂将硅基板与玻璃基板接合在一起;和在设置了树脂的区域中分别切割硅基板和玻璃基板,切割硅基板和玻璃基板包含:通过切片半切割硅基板;通过刻划切割玻璃基板;以及分割硅基板、玻璃基板和树脂。
搜索关键词: 半导体 元件 制造 方法
【主权项】:
一种半导体元件的制造方法,该半导体元件包含:硅基板;被设置在硅基板上的半导体元件部分;以及用于密封半导体元件部分的密封部件,所述密封部件包含被设置为与硅基板的其上设置了半导体元件部分的表面相对的玻璃基板和用于接合硅基板与玻璃基板的树脂,所述方法包括:在硅基板上布置多个半导体元件部分以使其彼此相邻;使用树脂将硅基板与玻璃基板接合在一起;和在设置了树脂的区域中分别切割硅基板和玻璃基板,切割硅基板和玻璃基板包含:通过切片来半切割硅基板;通过刻划来切割玻璃基板;以及在实施切片和刻划之后分割硅基板、玻璃基板和树脂,其中,半切割硅基板中的半切割的剩余量大于等于20μm且小于等于100μm。
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