[发明专利]存储器系统及其块复制方法有效
| 申请号： | 201210520121.X | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103151069B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 尹翔镛;朴起台;韩真晚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 系统 及其 复制 方法 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储器设备的方法，包括：对从非易失性存储器设备内的第一部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正ECC操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数；以及使用地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二部分M比特非易失性存储单元，其中，所述地址加扰重编程技术对多个M比特非易失性存储单元进行编程，并且包括：将多个M比特非易失性存储单元编程为相应的多个编程状态，并且然后将所述多个M比特非易失性存储单元重编程，使得所述多个M比特非易失性存储单元的阈值电压改变而它们相应的多个编程状态保持不变，其中，在对与每条字线对应的非易失性存储单元执行一次编程后，其下一次编程在执行了至少另一条字线的至少一次编程之后被运行。
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