[发明专利]存储器系统及其块复制方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器设备的方法，包括：

对从非易失性存储器设备内的第一部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正ECC操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数；以及

使用地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二部分M比特非易失性存储单元，其中，所述地址加扰重编程技术对多个M比特非易失性存储单元进行编程，并且包括：将多个M比特非易失性存储单元编程为相应的多个编程状态，并且然后将所述多个M比特非易失性存储单元重编程，使得所述多个M比特非易失性存储单元的阈值电压改变而它们相应的多个编程状态保持不变，其中，在对与每条字线对应的非易失性存储单元执行一次编程后，其下一次编程在执行了至少另一条字线的至少一次编程之后被运行。

2.如权利要求1所述的方法，其中，非易失性存储器设备包括多个非易失性存储器芯片，并且其中第一部分M比特非易失性存储单元和第二部分M比特非易失性存储单元位于非易失性存储器设备内的相同的非易失性存储器芯片或分离的非易失性存储器芯片上。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述地址加扰重编程技术包括：将多个M比特非易失性存储单元编程至少M-1次。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述地址加扰重编程技术还包括：使用2^M-1-2^M-…-2^M编程序列或2^M-2^M-…-2^M编程序列，将M比特非易失性存储单元的目标页编程M次。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在所述执行ECC操作之前，将来自M比特非易失性存储单元的源页的M页数据读取到与非易失性存储器设备内的第一块非易失性存储器相关联的页缓冲器中。

6.如权利要求5所述的方法，其中，在所述执行ECC操作之前，依序将M页数据从页缓冲器传送到ECC电路。

7.如权利要求6所述的方法，其中，非易失性存储器设备包括至少一个非易失性存储器芯片，并且其中页缓冲器和ECC电路位于相同的非易失性存储器芯片上。

8.如权利要求6所述的方法，其中，非易失性存储器设备包括单比特非易失性存储单元的非易失性缓冲存储器；并且其中在所述编程之前，将M页ECC处理数据传送到非易失性缓冲存储器。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在所述编程之前，将M页ECC处理数据从非易失性缓冲存储器读取到页缓冲器中。

10.如权利要求6所述的方法，其中，ECC电路位于包括随机存取缓冲存储器的存储器控制器内；并且其中在所述编程之前，将M页ECC处理数据传送到随机存取缓冲存储器并且然后将其传送到页缓冲器。

11.如权利要求6所述的方法，其中，ECC电路位于包括随机存取缓冲存储器的存储器控制器内；并且其中在所述编程之前，将M页ECC处理数据从ECC电路直接传送到页缓冲器。

12.如权利要求8所述的方法，其中，所述编程包括多次将M页ECC处理数据从非易失性缓冲存储器读取到页缓冲器中。

13.如权利要求8所述的方法，其中，与将M页ECC处理数据从非易失性缓冲存储器读取到页缓冲器中同时地执行所述编程。

14.一种操作非易失性存储器设备的方法，包括：

从非易失性存储器设备内的第一部分M比特非易失性存储单元中读取M页数据，其中M是大于2的正整数；

对所述M页数据执行错误检查和纠正ECC操作，由此生成M页ECC处理数据；

利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的多个单比特非易失性存储单元；以及

使用重编程技术利用多个单比特非易失性存储单元中的M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二部分M比特非易失性存储单元，所述重编程技术包括：将该第二部分中的多个M比特非易失性存储单元编程为相应的多个编程状态，并且然后将所述多个M比特非易失性存储单元重编程至少一次，使得所述多个M比特非易失性存储单元的阈值电压改变而它们相应的多个编程状态保持不变，其中，所述重编程技术对该第二部分中的多个M比特非易失性存储单元进行编程。