[发明专利]逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210519817.0 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103855089A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;田晓丽;张文亮;吴振兴 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L27/082;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该方法包括：提供一重掺杂衬底，在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度大于1μm，峰值浓度为1e14/cm3～3e16/cm3，减薄所述重掺杂衬底。由于所述缓冲层的厚度可以根据器件的耐压水平做的更厚，而浓度可以做的更加精确，所以可以进一步的优化逆导型绝缘栅双极晶体管的通态压降和导通损耗，改善所述逆导型绝缘栅双极晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 提供一重掺杂衬底； 在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度大于1μm，峰值浓度为1e14/cm～3e16/cm； 减薄所述重掺杂衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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