[发明专利]闪存的存储单元的形成方法

摘要

一种闪存的存储单元的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有若干浅沟槽隔离结构，所述相邻浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底表面具第二介质层、和第二介质层表面的浮栅层，所述浅沟槽隔离结构和浮栅层的侧壁和顶部表面具有第一介质层，所述相邻浮栅层表面的第一介质层之间具有沟槽；在所述第一介质层表面形成填充满所述沟槽的控制栅层；在形成所述控制栅层之后，进行热退火工艺；在所述热退火工艺之后，去除高于所述第一介质层表面的控制栅层。所形成的闪存的存储单元的性能改善，编程速率提高。

主权项

一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有若干浅沟槽隔离结构，相邻所述浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底表面具第二介质层、和第二介质层表面的浮栅层，所述浅沟槽隔离结构和浮栅层的侧壁和顶部表面具有第一介质层，相邻所述浮栅层表面的第一介质层之间具有沟槽；在所述第一介质层表面形成填充满所述沟槽的控制栅层，所述控制栅层的材料为多晶硅；在形成所述控制栅层之后，进行热退火工艺，所述热退火工艺的气体包括二氧化氮和一氧化氮中的一种或两种混合；在所述热退火工艺之后，去除高于所述第一介质层表面的控制栅层。