[发明专利]闪存的存储单元的形成方法

权利要求书

1.一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有若干浅沟槽隔离结构，相邻所述浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底表面具第二介质层、和第二介质层表面的浮栅层，所述浅沟槽隔离结构和浮栅层的侧壁和顶部表面具有第一介质层，相邻所述浮栅层表面的第一介质层之间具有沟槽；

在所述第一介质层表面形成填充满所述沟槽的控制栅层，所述控制栅层的材料为多晶硅；

在形成所述控制栅层之后，进行热退火工艺，所述热退火工艺的气体包括二氧化氮和一氧化氮中的一种或两种混合；

在所述热退火工艺之后，去除高于所述第一介质层表面的控制栅层。

2.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述热退火工艺的气体还包括氢气。

3.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述热退火工艺的温度为700摄氏度～950摄氏度，时间为5分钟～60分钟，流量为0.05标准升每分钟～5标准升每分钟，气压为0.08托～10托。

4.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述控制栅层的形成工艺为化学气相沉积工艺：温度为480～550摄氏度，反应气体包括SiH₄和Si₂H₆中的一种或两种，流量为0.1标准升每分钟～5标准升每分钟，气压为0.08托～10托。

5.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述控制栅层内具有掺杂离子。

6.如权利要求5所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子通过原位掺杂工艺掺杂入所述控制栅层。

7.如权利要求5所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子为磷或砷，掺杂浓度为1E19原子每平方厘米～5E20原子每平方厘米。

8.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述沟槽的纵宽比为大于3。

9.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为氧化硅。

10.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅的复合结构、或氮化硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-氮化硅的复合结构。

11.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述浮栅层的材料为多晶硅。

12.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述去除高于所述第一介质层的控制栅层的工艺为化学机械抛光工艺。

13.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，在去除高于所述第一介质层的控制栅层之后，在所述第一介质层和控制栅层表面形成电互连结构。