[发明专利]用于实现自对准分离栅闪存的顶部源线耦合的方法

摘要

一种用于实现自对准分离栅闪存的顶部源线耦合的方法包括：在衬底上依次沉积氧化物层、多晶硅浮栅和氮化硅硬掩模层，对氮化硅硬掩模进行光刻和刻蚀形成凹槽以露出浮栅表面；在对浮栅的各向同性刻蚀以形成弧形表面后，对在凹槽内的氮化硅硬掩模层侧壁上分别形成第一初始氧化隔离物和第二初始氧化隔离物；沉积耦合氧化物层；在耦合氧化物层上沉积第二多晶硅层；在第二多晶硅层上沉积附加氧化物层；对附加氧化物层进行各向异性刻蚀，从而在第二多晶硅层侧分别形成第一附加氧化物侧壁和第二附加氧化物侧壁；对第二多晶硅层进行刻蚀，从而形成第一多晶硅侧壁和第二多晶硅侧壁。

主权项

一种用于实现自对准分离栅闪存的顶部源线耦合的方法，其特征在于包括：在衬底上依次沉积氧化物层、多晶硅浮栅和氮化硅硬掩模层，对氮化硅硬掩模进行光刻和刻蚀形成凹槽以露出浮栅表面；使得露出的浮栅表面形成弧形表面后，对在凹槽内的氮化硅硬掩模层侧壁上分别形成第一初始氧化隔离物和第二初始氧化隔离物；在氮化硅硬掩模层的表面、第一初始氧化隔离物和第二初始氧化隔离物的表面以及凹槽底面上沉积耦合氧化物层；在耦合氧化物层上沉积第二多晶硅层；在第二多晶硅层上沉积附加氧化物层；对附加氧化物层进行各向异性刻蚀，从而在第二多晶硅层侧分别形成第一附加氧化物侧壁和第二附加氧化物侧壁；对第二多晶硅层进行刻蚀，从而形成第一多晶硅侧壁和第二多晶硅侧壁；以该多晶硅侧壁为掩模蚀刻暴露部分的多晶硅浮栅，以露出将要形成源线部分的衬底；沉积氧化物层，进行蚀刻以形成附加在多晶硅侧壁的隔离层;沉积源线多晶硅层，并形成源线，该源线与多晶硅侧壁相连。