[发明专利]ESD保护电路及包括ESD保护电路的半导体设备在审
申请号: | 201210505856.5 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103151347A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 辻川真平 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/00 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;褚海英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了ESD保护电路及包括ESD保护电路的半导体设备。一种静电放电保护电路包括触发器电路和保护晶体管。触发器电路包括电容元件和电阻元件并且被连接在两条电源线之间。保护晶体管与触发器电路并联并且具有连接至触发器电路的输出端子的控制电极。触发器电路具有作为电容元件的MIS电容器,并且电阻元件包括MIS电容器的上电极。此外,半导体设备具有保护连接在两条电源线之间的内部电路的上述静电放电保护电路。 | ||
搜索关键词: | esd 保护 电路 包括 半导体设备 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护电路,包括:触发器电路,该触发器电路包括电容元件和电阻元件,并且被连接在两条电源线之间;以及保护晶体管,该保护晶体管与所述触发器电路并联,并且其控制电极与所述触发器电路的输出端子连接,其中,所述触发器电路具有作为所述电容元件的MIS电容器,并且所述电阻元件由所述MIS电容器的上电极构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的