[发明专利]半导体激光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210502015.9 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103138155B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 谷坂真吾;小泉大树 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 刘晓迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种光输出及FFP优异的半导体激光元件及其制造方法。本发明的半导体激光元件的制造方法具有准备晶片的工序，该晶片包括多个从下面侧起依次具备衬底和具有光波导的半导体构造的半导体激光元件；在晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第一槽的工序，俯视观察，该第一槽向远离光波导且与光波导交叉的方向延伸；在形成有第一槽的晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第二槽的工序，该第二槽以与使第一槽延长的直线交叉的方式延伸且具有比第一槽平滑的面；通过沿着第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序；在与第一槽延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各个半导体激光元件的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，具有：准备晶片的工序，所述晶片包括多个半导体激光元件，该半导体激光元件从下面侧起依次具备衬底和具有光波导的半导体构造；在所述晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第一槽的工序，俯视观察，所述第一槽向离开所述光波导且与所述光波导交叉的方向延伸；在形成有所述第一槽的所述晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第二槽的工序，所述第二槽以与所述第一槽延长的直线交叉的方式延伸且具有比所述第一槽平滑的面；通过沿着所述第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序；在与所述第一槽延伸的方向交叉的方向分割所述激光棒而得到各个半导体激光元件的工序，分隔所述晶片的步骤包括劈开所述晶片使得劈开线按照第一槽、第二槽和光波导的顺序前进。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社，未经日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210502015.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
