[发明专利]IGBT集电极结构有效
| 申请号： | 201210494615.5 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102931223A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;朱阳军;吴凯;徐承福;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的间隔分布N+型区域层，以及在N-型基区的背面，上述间隔分布N+型区域层未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层。所述间隔分布N+型区域层是由五价元素在N-型基区的背面间隔注入后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后形成。或者所述间隔分布N+型区域层是通过在N-型基区的背面外延生长一层N+型层，然后通过间隔刻蚀后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后得到。本发明用于形成IGBT的集电极结构。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 集电极 结构 | ||
【主权项】：
一种IGBT集电极结构，包括N‑型基区(3)，其特征在于：还包括在N‑型基区(3)的背面形成的间隔分布N+型区域层(5)，以及在N‑型基区(3)的背面，上述间隔分布N+型区域层(5)未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层(6)。
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