[发明专利]用于多晶硅炉管工艺的挡片及其制备方法在审
| 申请号： | 201210494123.6 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035495A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 祁鹏;王智;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于多晶硅炉管工艺的挡片，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化硅层和氮化硅层；所述二氧化硅层的厚度为10~100纳米，氮化硅层的厚度为20~200纳米。本发明提供的挡片采用在硅衬底基片上生长二氧化硅后再次淀积氮化硅所形成的特殊结构的挡片，解决传统多晶硅炉管挡片由于淀积硅衬底基片上氮化硅与硅衬底基片的热膨胀系数不同产生的应力会导致挡片变形和边缘破损，对产品硅片的颗粒会有影响，改善之后消除氮化硅与硅衬底基片的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 炉管 工艺 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多晶硅炉管工艺的挡片，其特征在于，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化硅层和氮化硅层；所述二氧化硅层的厚度为10~100纳米，氮化硅层的厚度为20~200纳米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210494123.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法
- 下一篇：沟槽的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
