[发明专利]用于多晶硅炉管工艺的挡片及其制备方法

权利要求书

1.一种用于多晶硅炉管工艺的挡片，其特征在于，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化硅层和氮化硅层；

所述二氧化硅层的厚度为10~100纳米，氮化硅层的厚度为20~200纳米。

2.一种制备上述挡片的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、在作为挡片的硅衬底基片上淀积一二氧化硅层；

步骤2、在形成的二氧化硅层上再淀积一氮化硅层；

形成的所述二氧化硅层的厚度为10~100纳米、所述氮化硅层的厚度为20~200纳米。

3.根据要求2所述的方法，其特征在于，所述挡片淀积采用低压化学气相淀积。

4.根据要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤1包括在LPCVD炉管中，将温度升至750~800℃、压力降至0.3~0.5Torr，通入SiH₂Cl₂和N₂O混合反应气体从而在硅衬底基片上反应生成二氧化硅层。

5.根据要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤1包括在LPCVD炉管中，将温度升至650~700℃、压力降至0.3~0.4Torr，通入反应气体Si(OC₂H₅) ₄从而在硅衬底基片上反应生成二氧化硅层。

6.根据要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤2包括在LPCVD炉管中，将温度升至650~780℃、压力降至0.1~0.2Torr，通入SiH₂Cl₂和NH₃混合反应气体从而二氧化硅层上反应生成氮化硅层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所形成的氮化硅层的厚度为50~200纳米。