[发明专利]一种钨/铜栓结构及包括该钨/铜栓结构的半导体器件无效
| 申请号： | 201210493782.8 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103000615A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 胡彬彬;韩晓刚;陈建维;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种钨/铜栓结构及包括该钨/铜栓结构的半导体器件。本发明通过钨/铜栓代替传统的钨栓与半导体衬底上的底层器件连接，以降低接触电阻（钨/铜栓），提高半导体器件的电学性能，进而提升产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种钨/铜栓结构，包括设置有源、漏、栅的半导体衬底，所述半导体衬底上表面覆盖有层间介质层，其特征在于，所述层间介质层中设置有接触通孔，所述接触通孔的底部和侧壁上覆盖有阻挡层，所述钨/铜栓覆盖所述阻挡层上表面并充满所述接触通孔；其中，所述钨/铜包括钨层和铜层，所述钨层充满所述接触通孔的底部，所述铜层覆盖所述钨层的上表面，并充满所述接触通孔的上表面。
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