[发明专利]半导体器件失效分析样品制作方法以及分析方法在审
| 申请号： | 201210485695.8 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103839771A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王君丽;梁山安;苏凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G01R31/303 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种半导体器件失效分析样品制作以及分析方法，采用化学试剂去除部分芯片背面的封装覆层，不暴露封装覆层内的引线，保持引线框架和引脚的完整。这样，可以同时检测芯片上多个引脚之间的功能单元和金属互连线，无须以引线为终端来检测。并且能在芯片工作的状态下进行整个芯片的检测和失效分析，大大提高了效率。此外，还能避免机械的开盖方法对芯片背面造成损害。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 失效 分析 样品 制作方法 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件失效分析样品制作方法，包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括芯片和封装覆层，所述芯片的背面通过粘合层装配于芯片焊垫上，所述芯片的正面通过引线与引线框架上对应的引脚电连接；采用化学试剂去除所述芯片焊垫背面的部分封装覆层，以暴露出所述芯片焊垫的部分表面；去除部分所述芯片焊垫，暴露出所述粘合层；去除全部或者部分粘合层，暴露出所述芯片的背面，形成半导体器件失效分析样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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