[发明专利]半导体器件失效分析样品制作方法以及分析方法

权利要求书

1.一种半导体器件失效分析样品制作方法，包括：

提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括芯片和封装覆层，所述芯片的背面通过粘合层装配于芯片焊垫上，所述芯片的正面通过引线与引线框架上对应的引脚电连接；

采用化学试剂去除所述芯片焊垫背面的部分封装覆层，以暴露出所述芯片焊垫的部分表面；

去除部分所述芯片焊垫，暴露出所述粘合层；

去除全部或者部分粘合层，暴露出所述芯片的背面，形成半导体器件失效分析样品。

2.如权利要求1所述的半导体器件失效分析样品制作方法，其特征在于：采用化学试剂去除所述芯片焊垫背面的部分封装覆层的步骤中，所述化学试剂为发烟硝酸。

3.如权利要求1所述的半导体器件失效分析样品制作方法，其特征在于：利用浓度为70%的硝酸溶液去除部分所述芯片焊垫。

4.如权利要求1所述的半导体器件失效分析样品制作方法，其特征在于：所述粘合层为银胶层。

5.如权利要求4所述的半导体器件失效分析样品制作方法，其特征在于：利用丙酮溶液去除全部或者部分粘合层。

6.如权利要求1所述的半导体器件失效分析样品制作方法，其特征在于：去除全部或者部分粘合层之后，还包括利用超声波清洗所述芯片。

7.一种半导体器件失效分析方法，包括：

提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括芯片和封装覆层，所述芯片的背面通过粘合层装配于芯片焊垫上，所述芯片的正面通过引线与引线框架上对应的引脚电连接；

采用化学试剂去除所述芯片焊垫背面的部分封装覆层，以暴露出所述芯片焊垫的部分表面；

去除部分所述芯片焊垫，暴露出所述粘合层；

去除全部或者部分粘合层，暴露出所述芯片的背面，形成半导体器件失效分析样品；

对所述半导体器件失效分析样品进行失效分析。

8.如权利要求7所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于：对所述半导体器件失效分析样品进行失效分析的过程包括：

将所述引脚插入测试设备的插槽，对所述芯片施加电压；

观测芯片上的异常发光点。

9.如权利要求7所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于：对所述半导体器件失效分析样品进行失效分析的过程包括：

将所述引脚插入测试设备的插槽，对所述芯片施加电压；

采用激光扫描芯片；

测试所述引脚上的电流。

10.如权利要求7所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于：采用化学试剂去除所述芯片焊垫背面的部分封装覆层的步骤中，所述化学试剂为发烟硝酸。

11.如权利要求7所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于：利用浓度为70%的硝酸溶液去除部分所述芯片焊垫。

12.如权利要求7所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于：所述粘合层为银胶层。

13.如权利要求12所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于：利用丙酮溶液去除全部或者部分粘合层。

14.如权利要求7所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于：去除全部或者部分粘合层之后，还包括利用超声波清洗所述芯片。