[发明专利]间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法无效
申请号: | 201210477364.X | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN102923647A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 肖湘衡;郑俊丰;戴志高;应见见;任峰;蒋昌忠 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公布了一种间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法,该方法利用自组装紧密排布的纳米球层为模版,采用刻蚀法对纳米球自组装层进行刻蚀,改变纳米微球的间隙、尺寸大小和形貌;然后采用热蒸镀法在刻蚀后的纳米球层模板上沉积金属材料;去掉纳米球层后便可得到金属纳米颗粒有序阵列。本发明制备的金属纳米颗粒有序阵列排列整齐有序,呈现周期性重复,纳米颗粒大小基本一致。本发明方法技术可靠,工艺简单,成本低廉,可工业化生产高质量的间距与形貌可调控的有序排列的纳米颗粒。 | ||
搜索关键词: | 间距 形貌 调控 金属 纳米 颗粒 有序 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是,包括步骤:步骤一,采用液面自组装法在自组装基底上制备紧密排布的纳米球层模板;步骤二,通过刻蚀法调控纳米球层模板中纳米球的大小、间距和形貌; 步骤三,采用真空镀膜法在刻蚀后的纳米球层模板上沉积金属纳米阵列;步骤四,去掉纳米球模板,即得到金属纳米颗粒有序阵列。
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